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铟 Indium 铟是一种银白色低熔点稀有金属，是元素周期表49号元素，1863年由赖希（F.Reich）和里希特（H.Richter）在德国发现。铟熔点为156.6℃，沸点2080℃，密度为7.3g/cm3(20℃)。纯的铟金属具有很好的延展性，比铅还软，可用指甲划痕。纯铟棒在弯曲时，类似于锡，会发出一种高音的“叫声”。 铟是典型的稀散元素，在地壳中平均含量约1×10-5%，没有单独的矿床，常与铅、锌、锡、铜等金属伴生在一起，在工业上铟主要是作为以上有色金属冶炼过程中的副产品而回收生产出来的，目前全世界原生铟年产量约300-400吨，中国是铟的主要资源国和生产国，年产原生铟200-300吨，绝大部分用于出口。 铟最主要的用途是用于生产ITO(Indium-Tin Oxide)，占全球铟消耗量的70%以上，也广泛应用于半导体化合物、焊料、铟合金等重要领域。 |
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铟锡氧化物
Indium-Tin Oxide
铟锡氧化物（ITO）是由In2O3和SnO2组成的复合氧化物材料，ITO薄膜具有高可见光透过率、低电阻率、良好的图形加工性能，是现代平板显示不可或缺的重要材料。此外，ITO薄膜还可反射红外线、屏蔽紫外线和电磁波，可广泛用于太阳能、防雾去霜玻璃、冰柜玻璃、防静电涂层等。 ITO薄膜主要以ITO靶材作为靶极材料采取磁控溅射的方法在玻璃、透明塑料膜或其它基体上镀膜生产，较低要求的ITO薄膜也可用ITO粉体浆料涂敷或蒸镀等其它方式成膜。 ITO靶材为光电显示行业重要的电子陶瓷材料，一般呈灰黑色片状，其化学成分为In2O3和SnO2组成（通常配比为In2O3:SnO2=90%:10%），目前工业ITO靶材都是以ITO粉末为原料经高温烧结而成，其烧结成型方法主要有3种：高温气氛烧结法、热等静压法、热压法。近年来液晶显示等平板显示的快速发展对ITO靶材的需求 量不断增长，也对ITO靶材提出了更高的要求，大尺寸、高密度、高纯度、更稳定的镀膜性能是ITO靶材的发展方向。
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